三星1c纳米DRAM内存良率明显提升#，设计改进起到关键作用】6 月 24 日消息，参考韩媒 SEDaily 当地时间本月 19 日报道和另一家韩媒 MK 的今日报道，三星电子的第六代 10 纳米级（IT之家注：即 1c nm）DRAM 内存工艺在设计改进等的推动下良率明显提升。
SEDaily 在报道中宣称，三星去年 1c nm 内存的良率还不到 30%，而在今年五月的性能测试中良率达到了 50%~70%；MK 则提到了 60% 以上的近期良率数据。
三星1c纳米DRAM内存良率明显提升#，设计改进起到关键作用】6 月 24 日消息，参考韩媒 SEDaily 当地时间本月 19 日报道和另一家韩媒 MK 的今日报道，三星电子的第六代 10 纳米级（IT之家注：即 1c nm）DRAM 内存工艺在设计改进等的推动下良率明显提升。
SEDaily 在报道中宣称，三星去年 1c nm 内存的良率还不到 30%，而在今年五月的性能测试中良率达到了 50%~70%；MK 则提到了 60% 以上的近期良率数据。